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金融界2024年4月27日音讯,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制作股份有限公司请求一项名为“半导体设备及栅极结构的构成办法“,公开号CN117936571A,请求日期为2023年12月。
专利摘要显现,本揭穿关于一种半导体设备及栅极结构的构成办法。此构成办法包括:构成栅极结构的界面层及高k值介电层;构成N型金属层于高k值介电层上;构成硬覆盖层于N型金属层上,一起经过氟钝化强化高k值介电层;图画化在硬覆盖层上的光阻资料,以于P型晶体管上暴露出硬覆盖层的一部分;使用高选择性化学试剂经过湿式蚀刻操作移除于P型晶体管上的N型金属层及硬覆盖层,前述化学试剂对硬覆盖层及N型金属层具有高选择性;移除图画化光阻资料,一起经过硬覆盖层阻隔栅极结构,以防止产生铝氧化;以及构成P型金属层于硬覆盖层及P型晶体管上。